摘要
通过对碲镉汞材料进行As注入以及退火,成功地制备了P-on-N型光伏器件。器件的截止波长为5.5,黑体探测率D(500K,1K,100)可达2.1×10cmHzW通过对器件的变温电流-电压关系的测量,利用等效电路进行拟合后,我们发现,限制器件优质因子R。A的主要因素是并联电阻。估计此并联电阻可能由表面漏电和体缺陷引起。
Abstract HgCdTe P-on-N photodiodes were ob- tained by As. implantation and following annealing. The devices showed relatively high performance. The cutoff wavelength is 5. 5m ,and the blackbody
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期176-179,共4页
Laser & Infrared