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金刚石(111)面上乙炔合成金刚石薄膜的成核机理 被引量:2

Kernel forming Mechanisms for Growth of Diamond(111) Surface from Acetylene
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摘要 运用量子力学半经验分子轨道AM1方法计算乙炔作为生长基在金刚石(111)附氢表面上的吸附和成核过程,提出了两种可能的由乙炔合成金刚石薄膜的成核机理。 The AM1 semi empirical quantum mechanical method has been used to calculate the mechanisms for adsorbing and kernel forming on diamond(111) hydrogenated surface by using acetylene as growth species. The heats of formation(Δ H f ) of each step in kernel forming reaction pathway are obtained. The results show that acetylene can greatly contribute to the kernel forming of diamond and that acetylene is the primary one of diamond growth species.
出处 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期789-781,共1页 Chemical Journal of Chinese Universities
基金 国家教育委员会博士点基金 吉林大学理论和计算化学国家重点实验室资助
关键词 金刚石薄膜 乙炔 成核机理 生长基 势垒 合成 Diamond thin film, Acetylene, Kernel forming mechanism, Potential barrier(Ed.: Q, X)
  • 相关文献

参考文献5

  • 1刘波,博士学位论文,1994年
  • 2Sun B,Phys Rev B,1993年,47卷,9816页
  • 3Wu C,J Appl Phys,1990年,68卷,4825页
  • 4Huang D,J Phys Chem,1988年,92卷,6379页
  • 5印永嘉,大学化学手册,1985年,917页

同被引文献9

  • 1Alfonso D R,Phys Rev B,1994年,50卷,15369页
  • 2Sun B,Phys Rev B,1993年,47卷,9816页
  • 3Huang D,J Phys Chem,1992年,96卷,1868页
  • 4Huang D,J Phys Chem,1991年,95卷,3692页
  • 5刘波,博士学位论文,1994年
  • 6Zhou R H,Phys Rev B,1993年,47卷,10601页
  • 7Chu C J,J Appl Phys,1991年,70卷,1695页
  • 8Chu S Y,Surf Sci,1988年,194期,55页
  • 9戴振文,刘波,潘守甫.金刚石(111)面上乙炔生长金刚石薄膜的机理[J].物理化学学报,1997,13(10):904-907. 被引量:2

引证文献2

二级引证文献3

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