期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究 被引量：3

原文传递
导出
摘要 对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1:1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1:1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.
作者 李群庆 张立辉 陈墨 范守善
机构地区 清华大学物理系清华一富士康纳米科技研究中心
出处 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2009年第6期1047-1053,共7页 Science in China(Series E)
基金 国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(批准号:2007CB935301)资助项目
关键词 电子束光刻 ZEP520电子抗蚀剂 反应离子刻蚀 纳米加工
分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献15

  • 1Hohenau A, Ditlbacher H, Lamprecht B, et al. Electron beam lithography, a helpful tool for nanooptics. Microelectron Eng, 2006, 83(4-9): 1464-1467
  • 2刘明,陈宝钦,王云翔,龙世兵,陆晶,李泠.纳米级电子束直写曝光的基础工艺[J].Journal of Semiconductors,2003,24(B05):226-228. 被引量：1
  • 3Ayon A A, Zhang X, Khanna R. Anisotropic silicon trenches 300-500 μm deep employing time multiplexed deep etching (TMDE). Sens Actuators A, 2001, 91(3): 381-385
  • 4Ayazi F, Najafi K. High aspect-ratio combined poly and single-crystal silicon (HARPSS) MEMS technology. J Microelectromech Syst, 2000, 9(3): 288-294
  • 5McAuley S A, Ashraf H, Atabo L, et al. Silicon micromachining using a high-density plasma source: The future of technological plasmas. J Phys D, 2001, 34(18): 2769-2774
  • 6Wang X D, Zeng W X, Lu G P, et al. High aspect ratio BOSCH etching of sub-0.2 μm trenches for hyperintegration applications. J Vac Sci Technol, 2007, B25(4): 1376-1381
  • 7Woldering L A, Tjerkstra R W, Jansen H V, et al. Periodic arrays of deep nanopores made in silicon with reactive ion etching and deep UV lithography. Nanotechnology, 2008, 19(14): 145304(1 - 11)
  • 8Alcater. AMS200 I-Speeder: The Advanced Deep Plasma Etching System. Technical Report, Alcatel Vacuum Technology.2003
  • 9Liu M, Chen B Q, Wang Y X, et al. Nanoqevel electron beam lithography. Chin J Semicond, 2003, 24(1): 24- 28
  • 10Kurihara K, Iwadate K, Namatsu H, et al. An electron beam nanolithography system and its application to Si nanofabrication. Jpn J Appl Phys, 1995, 34(12B): 6940-6946

二级参考文献10

  • 1Kurihara K, Iwadate K, Namatsu H, et al. An electron beam nanolithography system and its application to Si nanofabrication [J] . Jpn J Appl Phys, 1995, 34: 6940-6946.
  • 2Resnick D J, Dauksher W J, Mancini D, et al.High resolution templates for step and flash imprint lithography [J] . J Microlith, Microfab,Microsyst, 2002, 1(3): 284-289.
  • 3Nishida T, Notomi M, Iga R, et al. Quantum wire fabrication by e-beam lithography using high-resolution and high-sensitivity e-beam resist Z EP-520[J]. Jpn J Appl Phys, 1992,31: 4508-4512.
  • 4Tanenbaum D M, Lo C W, Isaacson M, et al.High resolution electron beam lithography using ZEP-520 and KRS resists at low voltage[J]. J Vac Sci Technol, 1996,B14(6): 3829-3833.
  • 5Lee S-Y, Laddha J. Automatic determination of spatial dose distribution for improving accuracy in e-beam proximity effect correction [A]. Microprocesses and Nanotechnology Conference [C] .Yokohama(Japan): IEEE, 1999. 114 -115.
  • 6Campbell S A. The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication ( second edition )[M]. Oxford: Oxford Press, 2001.
  • 7Brewer G R. Electron-beam Technology in Microelectronic Fabrication [M] . Washington: Academic Press, 1980.
  • 8Sze S M. Modern Semiconductor Device Physics [M]. New York: John Wiley & Sons, 1998.
  • 9刘明,陈宝钦,梁俊厚,李友,徐连生,张建宏,张卫红.电子束曝光技术发展动态[J].微电子学,2000,30(2):117-120. 被引量：12
  • 10刘明,陈宝钦,刘小伟,尉林鹏,吴德馨.电子束和接触式曝光机的匹配和混合曝光(英文)[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):416-419. 被引量：1

共引文献3

同被引文献11

引证文献3

二级引证文献1

中国科学（E辑）
2009年 第6期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部