期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

高精度、低温度系数带隙基准电压源的设计与实现 被引量：7

Design and Realization of a High Precision Low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference
下载PDF
导出
摘要 为了提高传统带隙基准电压源的温度特性,本文采用一种双差分输入对的运算放大器对传统带隙基准电路进行高阶温度补偿。电路采用TSMC0.35μmCMOS混合信号工艺实现,采用Cadence公司Spectre软件进行电路仿真。仿真结果表明,带隙基准电压源在-40～125℃范围内的温度系数为2.2ppm/℃。 This paper demonstrates a design of bandgap voltage reference with high precision and low temperature coefficient. A dual-differential input operational amplifier is used for high-temperature coefficient compensation. The chip is simulated by using Cadence＇s Spectre software and implemented by using TSMC 0.35 μm mixed-signal process. Simulation results indicate that the bandgap voltage reference has a temperature coefficient of 2.2 ppra/℃ in -40-125℃.
作者 苑婷 巩文超 何乐年
机构地区 浙江大学超大规模集成电路研究所
出处 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第5期1260-1263,共4页 Journal of Electronics & Information Technology
基金 浙江省科技计划重点项目(2007C21021)资助课题
关键词 带隙基准电路 高精度 高阶温度补偿 Bandgap voltage reference High precision High-temperature coefficient compensation
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献9

  • 1Razavi B. Design of Analog CMOS Integrated Circuits. First Edition, Boston: McGraw-Hill, 2001: 381-390.
  • 2Tsivides Y P. Accurate analysis of temperature effects in Ic-VBE characteristics with application to bandgap reference sources. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1980, 15(6): 1076-1084.
  • 3徐勇,王志功,关宇,乔庐峰,赵斐.一种高精度带隙电压基准源改进设计[J].Journal of Semiconductors,2006,27(12):2209-2213. 被引量：5
  • 4李彪,雷天民.一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计[J].电子器件,2007,30(1):112-115. 被引量：1
  • 5Leung K N, MoK P K T, and Leung C Y. A 2-V 23μA 5.3- ppm/℃ curvature-compensated CMOS bandgap reference. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2003, 38(3): 561-564.
  • 6Malcovati P, Maloberti F, and Fiocchi C, et al..Curvature-compensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2001, 36(7): 1076-1081.
  • 7郑儒富,俞永康.一种4ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源[J].微电子学,2007,37(1):101-104. 被引量：8
  • 8Lee I, Kim G, and Kim W, et al.. Exponential curvature-compensated BiCMOS bandgap references. IEEE Journal ol Solid-State Circuits, 1994, 29(11): 1396-1403.
  • 9Meijer G M, Schmale P C, and Zalinge K Y. A new curvature-corrected bandgap reference. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1982, 17(6): 1139-1143.

二级参考文献22

  • 1江金光,王耀南.高精度带隙基准电压源的实现[J].Journal of Semiconductors,2004,25(7):852-857. 被引量：28
  • 2朱樟明,杨银堂.一种10-ppm/~oC低压CMOS带隙电压基准源设计[J].电路与系统学报,2004,9(4):118-120. 被引量：21
  • 3Banba H,Shiga H,Umezawa A,et al.A CMOS bandgap reference circuit with sub-1-V operation.IEEE J Solid-State Circuits,1999,34(5):670
  • 4Boni A.Op-amps and startup circuits for CMOS bandgap
  • 5Annema A J.Low-power bandgap
  • 6Razavi B.Design of analog CMOS integrated circuits.New York:The McGraw-Hill Companies,Inc,2001
  • 7Vermaas L L G,De Mori C R T,Moreno R L,et al.A bandgap voltage reference using digital CMOS process[A].IEEE Int Elec,Circ and Syst Conf[C].Lisbon,Portugal.1998,2(2):303-306.
  • 8Malcovati P,Maloberti F,Fiocchi C,et al.Curvature-compensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage[J].IEEE J Sol Sta Circ,2001,36(7):1076-1081.
  • 9Song B S,Gray P R.A precision curvature-compensated CMOS bandgap reference[J].IEEE J Sol Sta Circ,1983,18(6):634-643.
  • 10Ka N L,Mok P K T,Chi Y L.A 2-V 23-μA 5.3-ppm/℃ 4th-order curvature-compensated CMOS band-gap voltage reference[J].IEEE J Sol Sta Circ,2003,3(38):561-564.

共引文献10

同被引文献43

  • 1江金光,王耀南.高精度带隙基准电压源的实现[J].Journal of Semiconductors,2004,25(7):852-857. 被引量：28
  • 2徐静平,熊剑波,陈卫兵.一种新的CMOS带隙基准电压源设计[J].华中科技大学学报（自然科学版）,2006,34(2):36-38. 被引量：2
  • 3张红南,曾健平,田涛.分段线性补偿型CMOS带隙基准电压源设计[J].计测技术,2006,26(1):35-38. 被引量：4
  • 4郑儒富,俞永康.一种4ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源[J].微电子学,2007,37(1):101-104. 被引量：8
  • 5毕查德拉扎维.模拟CMOS集成电路设计[M].陈责灿,程军,张瑞智,译.西安:西安交通大学出版社,1995.
  • 6艾伦PE,霍尔伯格DR.CMOS模拟电路设计[M].王正华,叶小琳,译.西安:科学出版社,1995.
  • 7ALLEN P E, HOLBERG D R. CMOS analog circuit design[M]. 2nd ed. [S. l.]: Publishing House of Electronics Industry, 2005.. 125 - 130.
  • 8SONG B S, GRAY P R. A precision curvature-compensated CMOS bandgap reference [J]. IEEE Journal Solid- State Circuits, 1983, 18(6): 634-643.
  • 9PALMER C R, DOBKIN R C. A curvature-corrected micropower voltage reference [C] // Solid-Stated Circuits Conference, Digest of Technical Papers. [S. I. ] : IEEE, 1981, 24: 58-59.
  • 10RINCONMORA G A, ALLEN P E. A 1.1-V current- raode and piecewise linear curvature corrected bandgap reference [J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1998, 33(10) : 1551 - 1554.

引证文献7

二级引证文献21

电子与信息学报
2009年 第5期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部