摘要
本文根据在调试分子束外延(MBE)系统过程中,使用反射式高能电子衍射(RHEED)对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析,从而总结出在MBE外延生长实验中对采用的GaAs样品的化学清洗方法。
Based on the process of debugging the MBE system in our lab , analyzed the real-time RHEED monitor pictures of GaAs sampies, the optimum method of chemical cleaning on GaAs samples in the MBE epitaxial growth was summarize.
出处
《现代机械》
2009年第3期77-78,共2页
Modern Machinery
基金
贵州省委组织部高层人才科研特助项目(Z073011)
贵州省科技厅基金(Z073085)
贵州大学博士基金资助项目(X060031)
贵州省留学人员科技项目(Z073013)
