下一代逻辑栅堆栈的高k腐蚀性能

对于45nm及其以后工艺代的高性能金属栅／高k器件而言，干腐蚀至关重要，它不像SiO2基栅氧化物，很容易在HF溶液中进行湿腐蚀，如果对高k薄膜进行湿腐蚀会使氮化物盖帽层受侵蚀，并在栅上产生不良的高k分布。