摘要
国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出一系列新型25V及30VN通道沟道HEXFET功率MOSFETo它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。新M0s—FET系列采用了IR经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻（RDS（on）），并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。除了D—PAK、I—PAK和SO-8封装之外，
出处
《单片机与嵌入式系统应用》
2009年第7期88-88,共1页
Microcontrollers & Embedded Systems
