AlGaAs短波长超辐射集成光源

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摘要设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。

作者赵永生孙中哲李雪梅宋俊峰王之岭姜秀英杜国同 GregoryDevane KathleenA.Stair R.P.H.Chang

机构地区吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室

出处《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期789-792,共4页 Acta Optica Sinica

基金国家自然科学基金

关键词超幅射器件半导体光放大器集成光源铝镓砷

分类号 TN203 [电子电信—物理电子学]

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参考文献3

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