期刊文献+

双层硅外延片在大功率器件中的应用 被引量:5

A Use of the Doubledecker Extension Silicon inHigh Power Device
下载PDF
导出
摘要 主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用,并介绍了具体工艺方法。 This paper briefly introduces the important function of the extension silicon with doubledecker impurity in improving(or eliminating)the second breakdown,enhancing the characteristics of the large current,and raising the hige frequency performance.And practical techniques are also given.
作者 谢夏云
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期40-43,共4页 Semiconductor Technology
关键词 双层杂质浓度 硅外延片 大功率器件 Doubledecker impurity Extension silicon Highpower device
  • 相关文献

同被引文献22

  • 1王向武,陆春一,赵仲镛.改进的二步法生长双层、异型硅外延材料[J].固体电子学研究与进展,1994,14(1):74-79. 被引量:5
  • 2邹德恕,亢宝位,杜金玉,王东风,高国,王敬元.一种优化设计的高频高压电力半导体器件[J].半导体技术,1996,12(6):29-32. 被引量:7
  • 3蔡树军 王长河.SEBISIT-一种新型抗核辐照高压功率晶体管的研究[J].半导体技术,1987,22(6):7-15.
  • 4淌骶,半导体技术,1987年,12卷,6期,7页
  • 5胡嗣柱,数学物理方法,1989年
  • 6庄宝煌,厦门大学学报,1999年,38卷,5期,676页
  • 7蔡树军,半导体技术,1987年,12卷,6期,7页
  • 8浙江大学半导体器件教研室,晶体管原理,1980年
  • 9胡嗣柱,数学物理方法,1989年
  • 10蔡树军,半导体技术,1987年,22卷,6期,7页

引证文献5

二级引证文献5

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部