摘要
主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用,并介绍了具体工艺方法。
This paper briefly introduces the important function of the extension silicon with doubledecker impurity in improving(or eliminating)the second breakdown,enhancing the characteristics of the large current,and raising the hige frequency performance.And practical techniques are also given.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期40-43,共4页
Semiconductor Technology
关键词
双层杂质浓度
硅外延片
大功率器件
Doubledecker impurity Extension silicon Highpower device