光助MOCVD生长ZnSe单晶薄膜

PHOTOASSISTED MOCVD GROWTH OF ZnSe

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摘要光助ＭＯＣＶＤ生长ＺｎＳｅ单晶薄膜＊赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）关键词光助ＭＯＣＶＤ，ＺｎＳｅ基半导体材料，辐照光强度蓝绿光发射二极管和激光... nSe epilayers were successfully grown on GaAs(100) substrate by photoassisted MOCVD at 350℃. Xray diffraction spectrum and PL showed spectra a high quality of ZnSe epilayer. Irradiation intensity affected the characteriztation of growth and luminescence.

作者赵晓薇范希武张吉英杨宝均于广友申德振

机构地区中国科学院长春物理研究所中国科学院激发态物理开放研究实验室

出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期186-188,共3页 Chinese Journal of Luminescence

关键词光助MOCVD ZnSe基半导体材料薄膜生成 photoassisted MOCVD, ZnSebased semiconductor materials, irradiation intensity

分类号 TN304.22 [电子电信—物理电子学] TN304.055 [电子电信—物理电子学]

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发光学报

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