英飞凌宣布推出OptiMOS^TM3 75V MOSFET系列

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摘要 2009年6月19日，在深圳举办的中国国际电源展览会上，英飞凌科技宣布推出OptiMOS^TM3 75V功率MOSFET系列。全新推出的这个产品系列具备业内领先的导通电阻（RDS（on））和品质因素（FOM，Qg＊RDS（on））特性，可在任何负载条件下，降低开关模式电源（SMPS）、电机控制和快速开关D类功放等电源产品的功率损耗并改善其整体能效。

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期721-722,共2页 Semiconductor Technology

关键词功率MOSFET 开关模式电源品质因素导通电阻负载条件功率损耗电源产品 D类功放

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TN86 [电子电信—信息与通信工程]

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