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XeF_2对SiO_2/Si的干法刻蚀 被引量：2

SiO_2/Si dry etching with XeF_2
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摘要 XeF2是一种可以在常温下与硅发生反应的气体,可用作对硅进行干法刻蚀的工作气体,其对硅刻蚀特性呈现各向同性.研制了一个使用脉冲法对二氧化硅/硅体系进行XeF2刻蚀的系统,刻蚀系统简单且操作容易.利用该系统成功地刻蚀出"蘑菇状"的SiO2/Si结构,得到的刻蚀选择比大于1000. XeF2 can react with silicon in room temperature and be kind of isotropie dry etching. A XeF2 pulse etching system with used as silicon dry etching gas, it is a simple structure and easy operating has been constructed to perform SiO2/Si etching. With this system, the mushroom like SiO2/Si structure has been fabricated, and the etching selectivity between silicon and silica mask exceed 1 000.
作者 尉伟 吴晓伟 吕凡 肖云峰 付绍军 裴元吉 韩正甫
机构地区 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 中国科学技术大学中国科学院量子信息重点实验室
出处 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期603-607,共5页 JUSTC
基金 国家大科学工程(NSRL二期工程) 国家自然科学基金(60537020 60121503) 中国科学技术大学青年基金(KA2310000007)资助
关键词 XEF2 硅刻蚀 各向同性干法刻蚀 光学微腔 XeF2 silicon etching isotropic dry etching optical microcavity
分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献15

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同被引文献11

引证文献2

二级引证文献1

中国科学技术大学学报
2009年 第6期

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