摘要
英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻(例如采用TO-220封装,电阻仅为99mΩ)在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。
出处
《电子设计工程》
2009年第7期128-128,共1页
Electronic Design Engineering