摘要
介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。
This paper introduces the growth of ZnWO4 single crystal and the effect of varied doped oxides on properties of crystals,and determines the luminous efficiency of ZnWO4:Mg,ZnWO4.Cd,ZnWO4: Sb,ZnWO4: Ti,ZnWO4: Ge,ZnWO4: Ce.Comparision of these shows that if the absorption limit moves to the end of higher energy,the luminous effeiciency increases
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1989年第1期24-28,共5页
Journal of Beijing University of Technology
基金
国家自然科学基金
关键词
单晶生长
钨酸锌
晶体
掺杂晶体
zinc tungstate,single crystal growth,luminescence