主要平板显示器件（FPDs）的技术动态
摘要
对目前主要FPDs的一些技术动态作了介绍，并对它们近年来取得的一些技术成果也作了说明。
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1刘彩池,乔治,周旗钢,王敬,郝秋艳,张建峰,李养贤,任丙彦.直拉硅单晶中的流动图形缺陷[J].Journal of Semiconductors,2004,25(1):60-63. 被引量：2
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2Jeffrey B.Sampsell,刘会刚.基于MEMS的显示技术推动新一代FPDs在移动中的应用[J].现代显示,2006(12):40-43.
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3薛云（编译）.平面显示器件的现状与课题[J].显示器件技术,2009(3):13-17.
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4方敏,杨德仁,马向阳,阙端麟.重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示[J].材料科学与工程学报,2006,24(2):212-214. 被引量：1
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5乔治,刘彩池,张彦立,史严.CZ-Si单晶中流动图形缺陷的本性探究[J].半导体技术,2006,31(4):257-259. 被引量：2
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6郝秋艳,刘彩池,孙卫忠,张建强,孙世龙,赵丽伟,张建峰,周旗钢,王敬.高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响[J].物理学报,2005,54(10):4863-4866. 被引量：3
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7郝秋艳,孙文秀,刘彩池,张建强,姚素英.掺杂剂种类对大直径直拉硅单晶中void微缺陷的影响[J].南开大学学报（自然科学版）,2006,39(6):64-67.
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8乔治,李同锴,刘彩池,冀建利,张彦立.Ar气氛下快速退火对CZ-Si单晶中FPD的影响[J].半导体技术,2008,33(8):691-693.
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9张建强,刘彩池,周旗钢,王敬,郝秋艳,孙世龙,赵丽伟,滕晓云.快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响[J].Journal of Semiconductors,2006,27(1):73-77. 被引量：1
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10韩海建,周旗钢,戴小林,肖清华.掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响[J].稀有金属,2007,31(6):746-749.
