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基于CoFeNbSiB非晶丝巨磁阻抗效应的新型磁传感器
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摘要
本文利用CoFeNbSiB非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应制作了一种新型微磁场传感器。该传感器尺寸小,灵敏度高,反应速度快,且不需要预热。文章中具体介绍了非晶丝的特性、传感器的硬件及软件设计。
作者
钱丙军
王长松
周晓敏
机构地区
北京科技大学机械工程学院
出处
《电子设计应用》
2009年第8期47-51,共5页
Electronic Design & Application World
关键词
磁传感器
非晶丝
巨磁阻抗
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
O484.43 [理学—固体物理]
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