电弧作用后CuCrTe(W)触头熔化层组织及耐压性能的研究

本文研究了CuCrTe和CuCrWTe真空触头经长时间电弧作用后的表面熔化层显微组织及成分的变化。金相和扫描电镜分析表明：CuCrTe触头表面局部存在溅射坑点，熔化层厚度为0～70μm左右，Cr沉淀析出相的粒度为1～5μm左右；CuCrWTe触头表面平整，熔化层厚度约为10μm左右，CrW沉淀析出相粒度小于1μm。能谱成分分析表明：触头熔化层中Cu成分含量显著低于其原始成分含量。耐压试验表明：电弧作用和在CuCrTe材料中添加一定量的W，均可显著提高其耐压性能。