摘要
研究了硅液相外延层的表面形貌与衬底的初始状态的关系。实验结果表明，在采用有线性划痕的衬底时，可以在硅（１１１）面实现与三维集成技术中横向生长不同的线外延生长；而用表面形貌较好但有微缺陷的衬底时，适当控制液相外延生长过程，则可以在硅（１１１）面可以实现单晶点外延生长。
This research studies the effects of substrate on Si liquid phase epitaxy layer; it is reported that line and point Si liquid phase epitaxy methods can be realized on (111) Si substrates.
出处
《上海航天》
1998年第4期62-64,共3页
Aerospace Shanghai
关键词
薄膜工艺
液相外延
线生长
点生长
硅
Thin film technology Liquid phase epitaxy Surface morphology
