镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备被引量：9

导出

摘要用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2

作者朱开贵石建中魏彦峰张立德

机构地区中国科学院固体物理研究所复旦大学表面物理国家重点实验室

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第13期1389-1393,共5页 Chinese Science Bulletin

关键词磁控溅射二氧化硅薄膜锑化铟纳米颗粒

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献1

1Tsai C T，J Appl Phys，1996年，79卷，12期，9105页

同被引文献47

1姚伟国,石旺舟,林揆训,戚震中,何怡贞.GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光学性质研究[J].中国科学（A辑）,1996,26(7):636-641. 被引量：16
2都有为.纳米材料中的巨磁电阻效应[J].物理学进展,1997,17(2):180-200. 被引量：48
3王印月,杨映虎,郭永平,甘润今,何源,薛华,陈光华.埋入SiO_2薄膜中纳米Ge的光学、电学性质和室温可见光致发光[J].物理学报,1997,46(1):203-208. 被引量：11
4泉谷彻郎.光学玻璃与激光玻璃开发[M].北京：兵器工业出版社,1996..
5鲁圣国,张良莹,姚熹.ZnS-SiO_2纳米复合材料的结构和性能[J].科学通报,1997,42(1):106-110. 被引量：10
6Shi J Z，Appl Phys Lett，1998年，25卷，72期，3341页
7Fu H X，Phys Rev Lett，1998年，24卷，80期，5397页
8Shi W Z，J Appl Phys，1997年，6卷，81期，2822页
9Liu C T，Appl Phys Lett，1988年，53卷，25期，2510页
10Wu W Y，Appl Phys Lett，1987年，51卷，10期，710页

引证文献9

1陈卫平,陈金飙.纳米颗粒膜的制备、特性与应用前景[J].台州学院学报,2002,24(3):33-38.
2孙全,何焰兰,吕志辉,黄水花.真空沉积法制备InSb纳米颗粒[J].应用光学,2005,26(1):46-48. 被引量：1
3马志华,柴跃生,孙钢,张敏刚.化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状[J].兵器材料科学与工程,2005,28(2):71-74.
4何焰蓝,孙全.InSb纳米晶体的生长和吸收光谱的研究[J].原子与分子物理学报,2007,24(1):119-122. 被引量：1
5王浩,杨恢东,丁瑞钦.GaAs/SiO_2纳米晶镶嵌薄膜的拉曼光谱与吸收光谱研究[J].光学学报,2000,20(6):847-851. 被引量：2
6郑茂俊,张立德,李广海,姜治.纳米InP镶嵌复合薄膜的制备和光学性质[J].科学通报,2000,45(19):2062-2067. 被引量：1
7丁瑞钦,王浩,W.F.LAU,W.Y.CHEUNG,S.P.WONG,王宁娟,于英敏.InP/SiO_2纳米复合膜的微观结构和光学性质[J].物理学报,2001,50(8):1574-1579. 被引量：3
8丁瑞钦.镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望[J].五邑大学学报（自然科学版）,2003,17(4):13-18.
9何焰兰,孙全,吕志辉.InSb纳米颗粒的制备与原子力显微镜[J].国防科技大学学报,2004,26(2):17-20. 被引量：1

二级引证文献8

1马志华,柴跃生,孙钢,张敏刚.化合物半导体/SiO_2纳米复合薄膜的研究现状[J].兵器材料科学与工程,2005,28(2):71-74.
2杨扬,柴跃生,张敏刚,孙钢.半导体纳米颗粒镶嵌薄膜光学性能的研究及进展[J].山西冶金,2007,30(3):6-9.
3CHAI Yuesheng,YANG Meihui,ZHANG Mingang,SUN Gang.Structure and optical characterization of GaP-SiO_2 co-sputtered films[J].Rare Metals,2008,27(6):580-585.
4马德明,施卫,李恩玲.Ga_2As团簇结构及其电光特性的研究[J].西安理工大学学报,2009,25(3):275-278.
5王焕英,张彦,杜秀果,张兆志,张萍,王甫丽.人工纳米晶体材料的制备研究进展[J].中国陶瓷,2010,46(11):17-19.
6任平,邓惠勇,戴宁.InSb量子点的微观结构及其光学性质[J].上海电力学院学报,2014,30(4):388-391.
7李锋.InSb-In共晶体磁阻薄膜的制备及特性分析[J].黑龙江科学,2024,15(12):90-93.
8丁瑞钦.镶嵌式半导体纳米颗粒材料的研究现状与展望[J].五邑大学学报（自然科学版）,2003,17(4):13-18.

1孙全,何焰兰,吕志辉,黄水花.真空沉积法制备InSb纳米颗粒[J].应用光学,2005,26(1):46-48. 被引量：1
2甘润今.热处理对埋入SiO_2 介质中的微晶Ge特性的影响(英文)[J].北京机械工业学院学报,2000,15(3):10-13.
3陈栋梁,吴自玉,韦世强.孤立分散在SiO_2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究[J].高能物理与核物理,2006,30(5):476-480.
4刘凤敏,奇王利,甘润今.Si纳米晶SiO_2复合薄膜的光吸收特性研究[J].北京机械工业学院学报,2002,17(1):21-23.
5孙鸣,刘玉岭,贾英茜,刘博,刘长宇.ULSI电路层间SiO_2介质CMP工艺与抛光液[J].微纳电子技术,2006,43(11):549-552. 被引量：6
6王茂祥,陈淑燕,孙平.Si衬底(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的制备与性能研究[J].固体电子学研究与进展,2004,24(1):138-141.
7刘发民,张立德,贾俊辉,姜治.纳米GaSb-SiO_2镶嵌复合薄膜的制备及光学性质[J].中国科学（A辑）,2000,30(1):92-96. 被引量：3
8李树玮,李新宇,吴曙翔,许灵敏,刘雅晶,邢祥军.稀磁半导体TiMnO_2分子束外延生长和磁学性质[J].半导体技术,2008,33(S1):379-382.
9梁蒲,檀柏梅,刘玉岭,张研,陈婷.抛光液各组分在SiO_2介质CMP中的作用机理分析[J].半导体技术,2010,35(3):252-255. 被引量：3
10郝瑞亭,徐应强,周志强,任正伟,牛智川.2～3μmGaAs基InAs/GaSb超晶格材料[J].红外与激光工程,2007,36(z1):35-37.

科学通报

1998年第13期

浏览历史

内容加载中请稍等...

镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备被引量：9

参考文献1

同被引文献47

引证文献9

二级引证文献8

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备 被引量：9

参考文献1

同被引文献47

引证文献9

二级引证文献8

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备被引量：9