摘要
采用射频共溅技术制备了InAs_SiO2 镶嵌复合薄膜 ,透射电子显微镜观察分析了该复合薄膜的微结构和形成规律 .结果表明 ,随着衬底温度的提高 ,复合薄膜中InAs的聚集状态经历由完全弥散到分形聚集再到纳米晶颗粒的转变 .测量了该复合薄膜室温光吸收谱 ,观察到了吸收边发生较大蓝移的现象 ,并用量子取域理论对这种现象进行了解释 .
出处
《科学通报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第12期1273-1277,共5页
Chinese Science Bulletin
基金
中国科学院"九五"重点资助项目!(批准号 :KJ952 s1_4 14)
