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氮化硅结合碳化硅材料反应烧结时的杂质相行为分析
被引量：
5
Analyze on Impurity Phrase of Si_3N_4-bonded SiC Material When Sintered
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摘要
分析了Si3N4结合Si3C材料反应烧结时Fe2O3、SiO2、Al2O3、CaO等杂质相的反应行为。
作者
郝小勇
机构地区
咸阳陶瓷研究设计院
出处
《陶瓷工程》
1998年第3期24-26,共3页
Ceramics Engineering
关键词
反应烧结
杂质相
氮化硅
碳化硅
陶瓷
烧结
分类号
TQ174.758 [化学工程—陶瓷工业]
TQ174.651 [化学工程—陶瓷工业]
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