砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”
-
1汪光裕.半导体材料中深能级缺陷本性探索——EL2缺陷的邹氏模型[J].科学,1993,45(2):41-44. 被引量：1
-
2汪光裕.砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年[J].应用科学学报,1990,8(2):95-102.
-
3谢自力.掺InGaAs晶体中的EL2缺陷及其热处理[J].半导体技术,1999,24(3):38-40. 被引量：1
-
4王良,郑庆瑜.半绝缘砷化镓的热激电流谱测量[J].现代仪器,2002,38(2):21-24. 被引量：1
-
5周滨,杨锡权,王占国.一个证明SI-GaAs中EL2缺陷为双施主中心的方法[J].稀有金属,1998,22(2):116-119.
;
