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半导体C-V测量基础
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摘要
通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、Ⅲ-V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
作者
Lee Stauffer
机构地区
吉时利仪器公司
出处
《电子与电脑》
2009年第8期87-90,共4页
Compotech
关键词
半导体器件
C-V测量
基础
MOSFET
MEMS器件
TFT显示器
通用测试
电容-电压
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN307 [电子电信—物理电子学]
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电子与电脑
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