砷化镓材料中EPR“ASGa”的退火行为
被引量:1
同被引文献5
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1沈(岂页)华.表面光电压法测定半导体光跃迁类型和带隙参数[J].电子学报,1989,17(3):1-7. 被引量:3
-
2[美]施敏 黄振刚译.半导体器件物理[M].电子工业出版社,1987,12..
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3黄美纯.化合物半导体固溶体的能带结构[J].发光与显示,1980,(5):31-44.
-
4张志林 吴乐琦 黄玉奎 等.用电子计算机来分析P-AlGaAs/P-GaAs/n-GaAs太阳电池的性能[J].发光与显示,1982,(1):54-68.
-
5邹元爔,汪光裕,莫培根.用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性[J].物理学进展,1988,8(4):432-463. 被引量:2
-
1我国第一台150mm砷化镓晶体立式退火炉研制成功[J].电子工业专用设备,2003,32(6):84-84.
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2姬成周,李国辉,成步文,王琦,王文勋.Mev ^(28)Si^+注入GaAs的退火行为[J].北京师范大学学报(自然科学版),1992,28(2):167-172. 被引量:1
-
3陈坚邦,王云春,董国荃.GaAs材料抛光机理的研究[J].稀有金属,1997,21(2):144-148. 被引量:6
-
4顾宏,夏冠群.白光快速退火注Si砷化镓的X—ray双晶衍射摇摆曲线分析[J].上海微电子技术和应用,1997(2):1-4.
-
5张声豪.Oxide/GaAs的费米能级钉扎效应[J].厦门大学学报(自然科学版),1992,31(4):366-370. 被引量:2
-
6万群.半导体的巨星——砷化镓[J].金属世界,2001(2):4-5. 被引量:1
-
7凡丁.用自形成单分子作掩模的等离子体蚀刻制备纳米结构[J].等离子体应用技术快报,1997(5):19-20.
-
8沈兆侠,陈荣发,孙玉利,戴良刚,张显亮,朱瑞,左敦稳.金刚石线锯切割对砷化镓切片表面质量的影响[J].扬州大学学报(自然科学版),2010,13(2):33-36. 被引量:3
-
9铅盐激光器的晶体取向影响其增益[J].光机电信息,2005,22(5):27-27.
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10王琴.德国TRENKER公司推出——制作高精度金刚石切割片的新方法[J].金刚石与磨料磨具工程,2004,24(4):75-75. 被引量:1
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