异质结绝缘栅场效应晶体管（HIGFETS）高场区静态特性模型和泄漏电流研究
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1顾聪,王德宁,王渭源.异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)高场区静态特性模型和栅泄漏电流研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(12):922-930.
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2王德宁,顾聪,王渭源.i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究[J].电子科学学刊,1991,13(3):286-292.
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3顾聪,王德宁,王渭源.i-GaAlAs/GaAs HIGFETs器件参数的有限元分析[J].电子科学学刊,1992,14(5):550-554.
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4王德宁,顾聪,王尉源.ANALYTICAL RESEARCH ON THE STATIC CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURE ISOLATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS[J].Journal of Electronics(China),1992,9(2):122-128.
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5成磊,孙兵,李超.对PRINCE算法的旁路Cube分析[J].中国电子商情（通信市场）,2013(2):107-114. 被引量：1
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6曾庆明.InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管[J].半导体情报,1995,32(2):23-26.
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72010 IEEE EMC学术研讨会——电磁信息泄漏[J].安全与电磁兼容,2011(1):80-83.
-
8李雄伟,徐徐,张阳,余浩,邓高明.一种基于电磁旁路分析的硬件木马检测方法[J].计算机工程与应用,2013,49(12):97-100. 被引量：6
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9GUHerong ZHANGChunjiang 等.Practical Drive and Protection Circuits for the IGBT[J].Semiconductor Photonics and Technology,1996,2(4):279-282.
-
10张勤,何润华,方庆,余世峰.用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究[J].国外电子元器件,2006(5):22-24.
