Micron量产34nm NAND闪存芯片

下载PDF

导出

摘要 Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2xnm技术做准备，计划于第四季度推出样品。

出处《中国集成电路》 2009年第8期3-3,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 MICRON 闪存芯片 NAND USB闪盘 MEDIA INTEL Flash 合资公司

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP37 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1小玄.软盘终结时代的到来USB闪盘移动存储新时尚[J].家用电脑世界,2002(4):49-51.
2张景山.解决USB闪盘在WindowsME下不能使用的方法[J].电脑时空,2003(3):80-80.
3插上闪盘就会重启怎么办[J].网友世界,2009(23):74-74.
4解决USB闪盘在WindowsME下的使用[J].大众电脑,2003(3):33-33.
5移动存储——说新不新，说老不老[J].电脑高手,2002(7):47-47.
6Micron推出使用0．11微米工艺的1GB内存[J].微型计算机,2003(2):5-5.
7东芝将在华建芯片合资公司[J].电子商务,2009,10(12):28-28.
8阿亮.软驱的继任者——USB 闪盘快速入门[J].电脑自做,2002(7):110-112.
9笑言.给USB闪盘创建一个快速通道[J].视窗世界,2003(6):144-144.
10英特尔公布最新微架构及14rim工艺的技术细节[J].中国集成电路,2014,23(9):5-5.

中国集成电路

2009年第8期

浏览历史

内容加载中请稍等...

Micron量产34nm NAND闪存芯片

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史