单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法
-
1李润身,朱南昌.单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):759-767.
-
2朱南昌,李润身.单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定[J].科技通讯（上海）,1991,5(4):10-15.
-
3王玉田.MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-λ)Al_xAs)_m]_n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量[J].发光学报,1989,10(1):82-96. 被引量：1
-
4王志和.光纤连接器的工厂测定方法[J].文献快报（纤维光学与电线电缆）,1993(8):10-14.
-
5陈京一,朱南昌.GaAs中Si^＋注入的X射线双晶衍射研究[J].科技通讯（上海）,1992,6(2):1-9.
-
6朱南昌,周国良.不同生长温度下Ge0.5Si0.5／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射…[J].科技通讯（上海）,1994,8(1):1-6.
-
7Resso,MJ,李玲.评价红外探测器性能的功率测定方法[J].红外,1990(10):41-43.
-
8朱南昌,李润身,陈京一,许顺生.单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定[J].Journal of Semiconductors,1992,13(11):690-697. 被引量：1
-
9麦振洪,王超英,吴兰生,江潮,周钧铭.InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究[J].中国科学（A辑）,1994,24(1):44-51. 被引量：1
-
10张苹迦.一种新的相关函数的测定方法[J].电子测量与仪器学报,1989,3(3):1-9.
;
