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一种600V VDMOS终端保护环结构的设计 被引量:5

The Design about a sort of VDMOS Termination with Breakdown Voltage of 600V
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摘要 本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分,即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600V VDMOS的外延电阻率和厚度,一种600V VDMOS终端保护环结构被成功设计出来。 The role and the design method about guard rings, the gap between guard rings and field plates in VDMOS termination is discussed in the paper in detail. A sort of VDMOS termination is designed successfully according to the resistivity and thickness of epi of VDMOS with breakdown voltage of 600V.
作者 高东岳
出处 《中国集成电路》 2009年第8期58-61,共4页 China lntegrated Circuit
关键词 保护环 保护环间隙和场板 Guard rings the gap between guard rings and field plates
  • 相关文献

参考文献2

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同被引文献28

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引证文献5

二级引证文献16

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