CMOS器件电离辐射损伤等效研究中损伤敏感性的确定
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2周光文,魏锡智.电离辐射对CMOS器件损伤等效性的研究[J].科技通讯（乌鲁木齐）,1991(1):30-37.
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4林丽艳,杜磊,包军林,何亮.光电耦合器电离辐射损伤噪声相关性模型[J].电子科技,2010,23(3):50-52. 被引量：1
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5唐本奇,王祖军,刘敏波,肖志刚,张勇,黄绍艳.电荷耦合器件电离辐射损伤的模拟试验研究[J].电子学报,2010,38(5):1192-1195. 被引量：1
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6林丽艳,杜磊,包军林,何亮.光电耦合器电离辐射损伤电流传输比1/f噪声表征[J].物理学报,2011,60(4):609-615. 被引量：5
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7王桂珍,张正选,姜景和,罗尹红,彭宏论,何宝平.MOS器件的质子总剂量效应[J].Journal of Semiconductors,2001,22(11):1468-1473.
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8郭旗,陆妩,任迪远,余学锋,张国强,范隆,严荣良.CMOS运算放大器内部电路电离辐射损伤研究测试系统[J].核技术,2000,23(9):637-641.
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9任迪远,余学峰,艾尔肯,张国强,陆妩,郭旗,范隆,严荣良.MOS电容的热载流子损伤及其与电离辐射损伤的关系[J].固体电子学研究与进展,2001,21(1):103-108. 被引量：2
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10徐守龙,邹树梁,武钊,罗志平,黄有骏,蔡祥鸣.多类图像传感器模组电离辐射损伤对比研究[J].原子能科学技术,2016,50(11):2092-2100. 被引量：8
