MOS场效应晶体管的电离辐照效应
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2刘昶时,赵元富,陈萦,刘芬,王忠燕,赵汝权.掺硼和掺磷硅衬底生长SiO_2膜及其电离辐照效应的XPS研究[J].核技术,1995,18(2):98-103.
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3高文钰,严荣良,余学峰,任迪远,范隆.MOSFET的电离辐照效应[J].Journal of Semiconductors,1992,13(8):475-481. 被引量：15
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4张华林,陆妩,任迪远,崔帅.不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响[J].微电子学,2004,34(6):606-608. 被引量：8
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5张华林,任迪远,陆妩,崔帅.不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):29-34. 被引量：3
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6郭红霞,陈雨生,周辉,张义门,龚仁喜,吕红亮.MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用[J].计算物理,2003,20(4):372-376. 被引量：3
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7徐天容,杨怀民.大规模集成电路中子和γ射线综合电离辐照效应研究[J].强激光与粒子束,2005,17(5):756-760. 被引量：3
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8陶帅.典型宇航用DC/DC电路辐射研究[J].数字技术与应用,2012,30(3):77-78. 被引量：1
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9吕曼,张小玲,张彦秀,谢雪松,孙江超,王鹏鹏,吕长志.不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应[J].半导体技术,2013,38(3):222-226. 被引量：2
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10陈春霞,陈向正,李祖安,张佳宁,徐道润,曾铮,龚磊,成精折.光电线性隔离放大器的电离辐照特性[J].半导体光电,2014,35(3):411-414.
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