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一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源 被引量：3

A Bandgap Voltage Reference with High Power Supply Rejection Ratio
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摘要 根据带隙基准电压源理论，在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上，采用曲率补偿技术，对一阶温度补偿电路进行高阶补偿，获得了一种结构简单，电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源。该电路采用CSMC0．5μm标准CMOS工艺实现，用Spectre进行仿真。结果表明，在3．3V电源电压下，在-30℃～125℃范围内，温度系数为3．2×10^-6／℃；在27℃下，10Hz时电源抑制比（PSRR）高达118dB，1kHz时（PSRR）达至086dB。 A novel bandgap voltage reference with simple structure was designed based on classic bandgap reference structure. Using curvature compensation technique, the bandgap voltage reference features high power supply rejection ratio （PSRR） and low temperature coefficient. This circuit was implemented in CSMC＇s standard 0. 5μm CMOS process. Simulation results showed that the circuit had a temperature coefficient of 3. 2 ×10^-6/℃ at 3 V supply voltage from -30 ℃ to 125 ℃ and a PSRR up to 118 dB （10 Hz） and 86 dB （1 kHz） at 27 ℃.
作者 吴宗桂 邓爱枝 秦水介 杨发顺
机构地区 贵州大学理学院 贵州省光电子技术及应用重点实验室
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期499-502,共4页 Microelectronics
基金 国家自然科学基金资助项目(60666001) 教育部"优秀青年教师资助计划"资助项目(教人司[2003]355号) 贵州省优秀青年科技人才培养计划基金资助项目(黔科合人字No.2013) 2006年度教育部博士点基金资助项目
关键词 带隙基准源 温度系数 电源抑制比 曲率补偿 Bandgap voltage reference Temperature coefficient PSRR Curvature compensation
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
  • 相关文献

参考文献8

二级参考文献71

  • 1周耀,汪西川,陈光明.一种采用曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源的设计[J].微计算机信息,2004,20(12):104-105. 被引量：8
  • 2秦波,贾晨,陈志良,陈弘毅.1V电源非线性补偿的高温度稳定性电压带隙基准源[J].Journal of Semiconductors,2006,27(11):2035-2039. 被引量：12
  • 3刘恩科 朱秉升 罗晋生.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1994..
  • 4Behzad Razavi．模拟CMOS集成电路设计[M]．西安交通大学出版社,2000．309—329．
  • 5Andrea Boni. "Op-Amps and Startup Circuits for CMOS Bandgap Reference with Near 1-V Supply".IEEE J.Solid-State Circuits,vol.37,pp 1339-1343,Oct 2002.
  • 6Hironori Banba, Hitoshi Shiga, Akira Umezawa, Takeshi Miyaba etc"A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1-VOperation".IEEE J.Solid-State Circuits,vol.34,pp 670 - 674 May 1999.
  • 7Rincon-Mora G A,Allen P E.A low voltage,low quiescent,low drop-out regulator[J].IEEE J Sol Sta Circ,1998,33 (1):36-43.
  • 8Rincon-Mora G A,Allen P E.A 1.1 V current-mode and piecewise-linear curvature-corrected bandgap reference[J].IEEE J Sol Sta Circ,1998,33:1551-1554.
  • 9Lee B S.Technical review of low dropout voltage regulator operation and performance[Z].TI Company Inc.1999.10-11.
  • 10Rincon-Mora G A.Current efficient,low voltage,low drop-out regulators[D].PhD Thesis,Atlanta:Georgia Institute of Technology.1996.76-79.

共引文献60

同被引文献21

  • 1RAZAVIB.模拟CMOS集成电路设计[M].陈贵灿,程军,译.西安:西安交通大学出版社,2002:319-320.
  • 2H.S Kuok.An improved bandgap reference with high power supply rejection.ISCAS,2002,5:V833-V836.
  • 3Tsividis Y P. Accurate analysis of temperature effects in Ic- VBE characte-ristics with application to bandgap reference sources [J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 1980 (15): 1076-1084.
  • 4Gray P R, Hurst P l, Lewis S H, et al. Analysis and design of analog integrated circuits (4th Edition)[M]. New York: Digital Library, 2001.
  • 5Hoon S K,Chen L,Maloberti F. An improved bandgap reference with high power supply rejection[J]. IEEE Int. Symposium on Circuits and Systems, Scottsdale, 2002 (5) :833-837.
  • 6Edward K F L. A low voltage CMOS bandgap reference without using an opamp[C]//IEEE proceedings of International Conference, 2009 : 2533-2536.
  • 7ZHOU Qian-neng. A high-PSRR CMOS bandgap reference with out resistor[J]. Journal of Semi-conductors, 200g, 29 (8): 1517-1522.
  • 8Gray P R, Hurst P J, Lewis S H,et al. Analysis and design of analog integrated circuits[M]. New York: Wiley, 2001.
  • 9Behzad Razavi. Design of analog CMOS integrated circuit[M]. McGraw.Hill, 2001.
  • 10Phillp E. Allen, Douglas R. Holberg. CMOS Analog Circuit Design[M]. New York :Oxford, 2002.

引证文献3

微电子学
2009年 第4期

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