日开发GaN类功率半导体元件

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摘要富士通研究所开发出了“达成了电源用途实用水平”（该公司）的、使用GaN（氮化镓）类半导体的HEMT（高电子迁移率晶体管）。富士通将以该技术为基础，在2011年前后实现实用化，并于2013-2014年量产。首先瞄准在服务器电源电路中的应用，然后向笔记本电脑的AC适配器扩展。之后，希望将用途进一步扩展至混合动力车及电动汽车等电动车辆，以及家电等领域。

出处《现代材料动态》 2009年第8期21-21,共1页 Information of Advanced Materials

关键词半导体元件 GAN 开发高电子迁移率晶体管富士通研究所功率电源电路 AC适配器

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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