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日开发GaN功率半导体元件
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摘要
古河电气工业和富士电机电子技术将共同致力于GaN功率半导体元件的研发。目的是通过将古河电工的GaN基础技术与富士电机的量产技术和可靠性技术相结合,早日实现产品化。两公司组成的技术研究组合“新一代功率元件技术研究组合”将于2009年7月开始启动,并计划在2009-2011年度的3年时间里共同推进GaN功率半导体元件的研发。目标是在2011年度实现产品化。
出处
《现代材料动态》
2009年第8期24-25,共2页
Information of Advanced Materials
关键词
半导体元件
功率元件
GAN
电子技术
开发
富士电机
可靠性技术
电气工业
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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现代材料动态
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