聚硅烷—— 一种新亚微米高分辨光致蚀刻剂

POIYSILANE——A　NEW　PHOTORESIST　OF　THE　SUBMICRON　IMAGES

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摘要采用聚甲基苯乙基硅烷（ＰＭＰＥＳ）酚醛树脂双层工艺，用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光作曝光光源，经Ｏ２等离子体处理，实现了亚微米图形尺寸的转移． Used　two　layersitechnic　by　polymethyl　phenethl　silane　(PMPES)　phennolic　resin　vanish.Under　the　irradilation　of　308nm　XeCl　guasimolecule　laser　and　was　treated　with　O2phasma.Finally　Submicron　images　transfer　is　produced.

作者谢茂浓

出处《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期551-553,共3页 Journal of Sichuan University(Natural Science Edition)

基金国家自然科学基金

关键词聚硅烷准分子激光亚微米光致蚀刻剂 polysilane,quasimolecule　laser,O2phasma,submicron

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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参考文献4

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四川大学学报（自然科学版）

1998年第4期

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