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(ZnSe)_n/(ZnS)_m应变层超晶格的光吸收系数

Optical Absorption Coefficient in (ZnSe)_n/ (ZnS)_m Strained-lay Superlattices
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摘要 用L-K有效质量理论研究[001]方向生长的(Znse)n/(ZnS)m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数.结果表明,光吸收系数与附宽和垒厚有关. The subband structures and optical absorption coefficient of (ZnSe)_n/(ZnS)_m strained-lay superlattices in [001] were calculated with the effective-mass approximation. The results indicate that the optical obsorption coefficient varies with the well-width and the barrier-width.
出处 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1998年第3期68-71,共4页 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Jilinensis
关键词 应变层超晶格 亚带结构 光吸收系数 半导体 strained-lay superlattices, subband structures, optical obsorption coefficient
  • 相关文献

参考文献5

  • 1范卫军,夏建白.In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构[J].Journal of Semiconductors,1992,13(3):133-142. 被引量:3
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二级参考文献2

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  • 2夏建白,Phys Rev B

共引文献2

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