摘要
基于过热原子氧撞击硅表面,在超薄氧化区产生低扩散垒与反应垒的部分阴性原子氧离子及其相应的电场和映像势致扩散增加等特点,通过变扩散系数及变反应率常数途径,完善Almeida-Goncalves-Baumvol(AGB)模型.据此,模拟了硅氧化膜的演化,与Tagawa等人的结果拟合显示,理论曲线与实验数据吻合;并浅析了扩散系数、反应率常数、衰减长度及调节参数等与原子氧的平动能、通量、温度以及切向通量等的相关性.模拟结果初步证实,本文构架的反应-扩散理论模型合理,可为LEO环境中抗原子氧防护膜厚度提供评估手段.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2009年第8期1431-1439,共9页
Science in China(Series E)
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:10572016)
