摘要
本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备， 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长， 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。
This paper describes the Molecular Beam Epitaxy(MBE)technology and its applications in large area homogeneous super thin epilayers growth. We carried out the growth of SQW and MQW laser struchures with imported VG V80H MBE system. Electronic and optical characteristics of the epi-layers are analysed in detail.
出处
《长春光学精密机械学院学报》
1998年第3期15-17,22,共4页
Journal of Changchun Institute of Optics and Fine Mechanics
基金
国防科工委重点资助
