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半导体C-V的测量
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摘要
电容一电压(C—V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管(CNT)和多种其他半导体器件。
作者
吉时利
出处
《电子世界》
2009年第9期19-20,共2页
Electronics World
关键词
半导体器件
测量
MOSFET
MEMS器件
TFT显示器
结型晶体管
光电二极管
JFET
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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电子世界
2009年 第9期
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