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〈331〉晶向ZnTe单晶的太赫兹辐射及探测 被引量：2

Radiation and detection of terahertz pulse in〈331〉 oriented ZnTe single crystal
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摘要 通过Te熔剂方法生长出〈331〉晶向的ZnTe体单晶,利用X射线衍射和红外透射显微技术对材料进行了测试.在钛-宝石激光器的泵浦下,利用〈331〉晶向的ZnTe晶体辐射-探测到太赫兹波,激发频谱可达5 THz左右.〈331〉晶向的ZnTe晶体表现出良好的太赫兹辐射性能. （331） oriented ZnTe crystals are grown by Te-solution method and the crystals are investigated by X-ray diffraction （XRD） and infrared transmission microscope technique. The （331） oriented ZnTe crystals pumped by Ti： Sapphire laser, are emitted and detected THz width about 5 THz. The（331） oriented ZnTe crystals grown by Te-solution method, exhibit good property of THz radiation.
作者 王仍 葛进 李栋 胡淑红 方维政 戴宁 马国宏
机构地区 中国科学院上海技术物理所红外国家重点实验室 上海大学物理学院
出处 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期2330-2332,共3页 Acta Photonica Sinica
基金 国家高技术研究发展计划(2006AA12Z135) 中科院三期创新项目(C2-38和C2-22)资助
关键词 太赫兹激发与探测 Ⅱ—Ⅵ族半导体材料 〈331〉晶向 Terahertz emission and detection Ⅱ-Ⅵ semiconductor crystal （331） oriented
分类号 O472.3 [理学—半导体物理]
  • 相关文献

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引证文献2

二级引证文献1

光子学报
2009年 第9期

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