SiC单晶生长技术及器件研究进展被引量：11

Development of SiC Single Crystal Growth and Device Study

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摘要综述了近年来国外ＳｉＣ单晶及外延层生长、分立器件和集成电路的研究进展情况。 This paper reviews the status of SiC,in terms of bulk crystal growth,epitaxial growth,discrete devices and integrated circuits.

作者任学民

机构地区电子工业部第四十六研究所

出处《半导体情报》 1998年第4期7-12,共6页 Semiconductor Information

关键词器件晶体生长碳化硅 SiC SiC devices Crystal growth

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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