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磷化铟及相关材料的发展——1998年IEEE磷化铟及相关材料国际研讨会评述
被引量:
2
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摘要
1概述第10届磷化铟及相关材料国际研讨会(TenthInternationalConferenceonIndiumPhosphideandRelatedMaterialsInPRM'98)于1998年5月11日至16日在日本科学城筑波召开。这次会议由...
作者
陈旭东
出处
《半导体情报》
1998年第4期59-60,共2页
Semiconductor Information
关键词
磷化铟
相关材料
IEEE
国际研讨会
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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2
李秀清.SiGe电路面市[J].半导体情报,1998,35(4):63-63.
3
菲利浦半导体公司.菲利浦半导体新型超小型功率开关MOSFET[J].世界电子元器件,1998,(8):45-45.
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何相宁 钱照明.第二届电力电子技术与运动控制会议(IPEMC’97)综述[J].电工技术杂志,1998,(2):46-47.
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(日)佐藤克己.世界最大容量的8kV/3.6kA LCT[J].三菱电机技报,1996,70(3):309-311.
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弓小武,樊昌信,刘玉书.
一种新型 MOS 控制功率器件[J]
.电力电子技术,1997,31(2):88-90.
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弓小武,樊昌信,刘玉书.
MOS 功率器件的新成员——MBSIT[J]
.电力电子技术,1997,31(3):79-81.
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勤耘.
高效率砷化镓电力整流器件[J]
.世界电子元器件,1998(1):50-52.
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李思敏.
金槽BSIT:一种新型静态感应晶体管[J]
.世界电子元器件,1998(8):51-52.
被引量:2
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任学民.
SiC单晶生长技术及器件研究进展[J]
.半导体情报,1998,35(4):7-12.
被引量:11
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赵异波.
电力电子器件发展概况及应用现状[J]
.半导体杂志,1999,24(3):23-30.
被引量:7
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赵异波.
电力电子器件发展概况及应用现状(下)[J]
.电工技术,1999(10):4-5.
被引量:1
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刘斌,任建,付英.
BGA封装结构的有限元分析[J]
.魅力中国,2009,0(29):129-130.
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郭红霞,杨金明.
IGBT的发展[J]
.电源世界,2006(9):51-56.
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李红钧.
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.自动化与仪器仪表,2010(5):65-67.
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段守敏.
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.太原科技,2000(2):45-46.
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吴琳.
关键技术对非对称型GCT的影响[J]
.信息与电脑(理论版),2010(6):32-32.
6
张运久.
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.集成电路应用,2021,38(12):216-217.
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7
李金河.
浅析电力电子器件发展概况及应用[J]
.科学家,2016,0(18):25-25.
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李林龙.
新型三相四线制串级数字调速系统设计[J]
.半导体技术,2003,28(9):72-74.
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周洁尘.
半导体相关材料的最新动向[J]
.中外技术情报,1996(10):3-5.
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章其麟,任永一.
MOCVD法在InP上生长GaAs及其在器件中的应用[J]
.上海半导体,1994(1):15-18.
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屠海令.
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.稀有金属,1996,20(1):39-44.
被引量:1
4
一丁.
等离子体处理对InP上氧化物生长和电性能的影响[J]
.等离子体应用技术快报,1994(11):14-15.
5
顾聚兴.
响应率达1A/W的光电探测器[J]
.红外,2003,24(9):25-25.
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2012(第六届)移动互联网国际研讨会召开[J]
.数码世界,2012(10):154-154.
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翟羽伸.
日本显示器及其相关材料的动向[J]
.化工新型材料,1992,20(5):15-17.
8
苏里曼.
平面型磷化铟双极型晶体管[J]
.固体电子学研究与进展,1990,10(1):119-120.
被引量:1
9
张忱.
在Si上异质外延生长InP[J]
.电子材料快报,1995(1):5-6.
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邓志杰.
展望2002年化合物半导体[J]
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半导体情报
1998年 第4期
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