期刊文献+

直拉硅单晶炉热系统的改造对氧、碳含量的影响 被引量:2

Influence on carbon and oxygen contents in CZ Si single crystals by improvement of thermal system of furnace
原文传递
导出
摘要 为了降低大直径硅单晶生长过程中所引入的氧、碳杂质含量,提高硅单晶质量,特对18英寸直拉硅单晶炉的热系统进行了改进.实验结果表明,通过改变氩气流向和加热器的尺寸的改进型热系统,可降低了硅单晶中的氧、碳含量,缩短拉制晶体时间,降低消耗功率,提高硅单晶质量.图10,表1,参13. In order to reduce oxygen and carbon contents in czochralski Si single crystal (CZSi) and to improve its quality, the 18# thermal system of furnace is designed and modified. The results indicate as follows: The improving thermal system by changing the pattern of argon flow and the size of heater thermal stove ean lower contents of oxygen and carbon in CZSi, spend less time in crystal growth process with less energy consumption and better crystal quality, lOfigs., ltab., 13refs.
出处 《湖南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2009年第3期103-107,共5页 Journal of Hunan University of Science And Technology:Natural Science Edition
关键词 直拉单晶硅 热系统 氩气流向 加热器 氧、碳含量 CZSi thermal system argon flow heater thermal stove contents of oxygen and carbon
  • 相关文献

参考文献13

二级参考文献26

  • 1任丙彦,赵龙,傅洪波,曹中谦,张学强.复合式热屏对Φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1764-1767. 被引量:6
  • 2[1]Ryuta J, Morita E, Tanaka T et al .Crystal-originated singularities on Si wafer surface after SC1 cleaning. Jpn J Appl Phys, 1990, 29:L1947.
  • 3[2]Yamagishi H.,Fusegawa I ,Fujimaki N et al. Semicond SciTechnol, 1992, 7: A135.
  • 4[3]Umeno S, Sadamitsu S, Marakami H et al . Jpn J Appl Phys, 1993, 32:L699.
  • 5[4]Fusegawa I, Takano K, Kimura M et al. Mater Sci Forum, 1995, 196~201.
  • 6[5]Wijaranakula W , Archer S. Appl Phys Lett, 1994, 65 :2069.
  • 7[6]Hourai M, Sano M, Surnita S et al . Progress in semiconductor fabrication proc. Semicon Tech Conf ,Geneva,March/April , 1993.
  • 8[7]Cuendet N, Halicioglu T ,Tiller W A. Appl Phys Lett,1995, 67(8):2.
  • 9Ho Hahnseung,Crystal Growth,1998年,191期,413页
  • 10Kanda Isao,Crystal Growth,1996年,166期,669页

共引文献52

同被引文献13

引证文献2

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部