摘要
在测定高纯氧化铟中痕量杂质铊时,为了消除基体元素 In 的干扰常采用异丙醚先萃取 In3+,然后用阳极溶出法测定 T1的含量。由于要用异丙醚萃取三次,操作较繁,为快速、准确的测定高纯氧化铟中铊含量,我们采用了 EDTA 掩蔽 In3+及其他重金属离子,使 TI+在一定电位下富集在悬汞电极表面,然后进行阳极溶出法直接测定 T1。试验结果表明,T1+浓度在10~160ppb 范围内与峰高呈良好的线性关系,最低检出限为3ppb,方法回收率为91~113.6%,变异系数为1.89%。
出处
《理化检验(化学分册)》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第5期273-274,共2页
Physical Testing and Chemical Analysis(Part B:Chemical Analysis)