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理解功率MOSFET的开关损耗 被引量:10

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摘要 本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET。
作者 刘松
出处 《今日电子》 2009年第10期52-53,55,共3页 Electronic Products
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