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微电子所开发成功超临界二氧化碳无损伤清洗设备

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摘要目前．微电子所集成电路先导工艺中心自主研发成功超临界二氧化碳无损伤清洗设备。应用此设备对硅片进行清洗，清洗后颗粒明显减少，且平均粒径小于传统清洗的粒径。相对用等离子法清洗，该方法不会对硅片造成损伤，同时可减少工艺步骤，节省时间，提高工作效率。

出处《精细与专用化学品》 CAS 2009年第19期12-12,共1页 Fine and Specialty Chemicals

关键词超临界二氧化碳清洗设备无损伤微电子开发平均粒径工艺步骤自主研发

分类号 TS193.59 [轻工技术与工程—纺织化学与染整工程] TB4 [一般工业技术]

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3机构[J].纺织导报,2009(12):11-11.
4姜宗立.喷水织机的综筘清洗设备在纺织生产中的应用[J].江苏丝绸,1995(3):20-22.
5艾小洋.中国工业清洗领域的现状与发展趋势[J].现代制造,2004(2):58-60. 被引量：8
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精细与专用化学品

2009年第19期

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