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相变时代到来!
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摘要
9月下旬.三星正式量产PRAM(phase change random accessmemory,相变随机存储器).采用60nm工艺,容量512Mbit。也就是64MByte,速度约是NOR型闪存的10倍。这个消息让我小小激动了一会儿。原以为2006、2007年就可以量产的东西,等到现在,有点儿久了。
出处
《数字生活》
2009年第10期23-23,共1页
China Digital Life
关键词
RANDOM
随机存储器
闪存
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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数字生活
2009年 第10期
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