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SiB457EDK：P沟道功率MOSFET
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摘要
Vishay推出一款低导通电阻的新型20VP沟道功率MOSFETSiB457EDK。新型SiB457EDK采用了TrenchFETGenⅢP沟道技术，该技术利用自对准工艺制程，在每平方英寸的硅片上装进了十亿个晶体管单元。
出处
《世界电子元器件》
2009年第10期41-41,共1页
Global Electronics China
关键词
功率MOSFET
P沟道
沟道技术
低导通电阻
自对准工艺
晶体管
硅片
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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