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半导体激光器采用GaN底板的半极性面

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摘要住友电气工业开发的绿色半导体激光器，是在GaN（氮化镓）底板的半极性面上结晶形成GaN类半导体后制成的。具体利用了{2021}面。活性层采用InGaN。

作者杨英惠（摘译）

出处《现代材料动态》 2009年第10期18-18,共1页 Information of Advanced Materials

关键词半导体激光器 INGAN 半极性底板工业开发氮化镓活性层

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学] TN312.8 [电子电信—物理电子学]

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现代材料动态

2009年第10期

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