期刊文献+

利用MRAM技术实现工作频率达400MHz的非易失性逻辑电路

下载PDF
导出
摘要 NEC公司开发出实现零待机功耗SoC所需的关键技术——“非易失性磁性触发器(MFF)”。该技术可以大幅降低数字消费类设备及便携设备的待机功耗,如可使普通的蓝光/DVD录像机的待机功耗降至原来的几十分之一。
出处 《电子设计应用》 2009年第7期33-38,共6页 Electronic Design & Application World
  • 相关文献

参考文献10

  • 1.
  • 2Clark,L.et al.Reverse-Body Bias and Supply Collapse for Low Effective Standby Power[].IEEE JSolid -State Circuits.2004
  • 3木村.SSD Memory Subsystem Innovation forum[].ISSCC.
  • 4Sakimura,N.et al.MRAM Cell Technology for Over 500-MHz SoC[].IEEE Journal of Solid State Circuits.2007
  • 5Sakimura,N.et al.Nonvolatile Magnetic Flip-Flop for Standby-power-free SoCs[].IEEE CICC.2008
  • 6Sakimura,N.et al.A 500-MHz MRAM Macro for High-performance SoCs[].IEEEASSCC.2008
  • 7Nebashi,R.et al.A 4-Mb MRAM macro comprising shared write-selection transistor cells and using a leakage-replication read scheme[].IEEE A-SSCC.2007
  • 8Numata,H.et al.Scalable Cell Technology Utilizing Domain Wall Motion for High-speed MRAM[].IEEE Symposium on VLSI Technology.2007
  • 9Zhao,W.et al.Integration of Spin-RAM technology in FPGA circuits[].International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology.2006
  • 10Matsunaga,S.et al.Standby-Power-Free Compact Ternary Content-Addressable Memory Cell Chip Using Magnetic Tunnel Junction Devices[].Applied Physics Express.2009

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部