近红外GaAs上变频器

据《laser focus world》杂志报道,硅CCD摄像机通常对波长在1．2μm-1．6μm区域的红外辐射不敏感而敏感于波长在1μm以下的红外辐射，要想用这种摄像机对波长在1．2μm-1．6μm范围内的红外辐射进行成像，就得用上变频器的方法使光的波长短于1μm,上变频可以通过把光探测器和发射波长更短的发光二极管（LED）相结合来实现；随后，该元件阵列就产生一个能够被硅CCD摄像机所捕捉的图像。